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IPI60R385CP是MOSFET N-Ch 650V 9A I2PAK-3 CoolMOS CP，包括CoolMOS系列CP，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI60R185CPXK IPI60R285CPXKSA1 SP000103250，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为385mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPI60R520CP是INFINEON制造的MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262。IPI60R520CP可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262。
IPI60R600CP是FEELING制造的MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262。IPI60R600CP可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262。
