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IPU50R3K0CE是MOSFET N-Ch 500V 1.7A IPAK-3，包括IPU50R3系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPU50R4K0CEBKMA1 SP001022960的零件别名，该产品提供了安装类型功能，如通孔、封装盒设计用于PG-TO251以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有14 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为49 ns，上升时间为5.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为7.3ns，Qg栅极电荷为4.3nC，沟道模式为增强。
IPU50R2K0CEBKMA1，带有用户指南，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供0.012102盎司等单位重量功能，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为IPU50R2系列，该器件具有2欧姆Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为6 nC，Pd功耗为22 W，零件别名为IPU50 R2K0CE SP001053984，封装为管，封装外壳为TO-251-3，通道数为1通道，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为2.4 A。
IPU50R3K0CEAKMA1带有电路图，包括TO-251-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPU50R4K0CE SP001396836的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
