9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GA05JT01-46，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GA05JT01-46参考价格$9.12。GeneSiC半导体GA05JT01-46封装/规格：TRANS SJT 100V 9A TO46。您可以下载GA05JT01-46英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GA05JT03-46带有引脚细节，包括散装封装，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-46-3，提供SiC等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单一配置，该设备也可作为20 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+225℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为12.4 ns，上升时间为6.6 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为9 a，Vds漏极-源极击穿电压为300 V，Rds漏极源极电阻为620 mOhms，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为12ns，并且典型接通延迟时间为13ns，并且Qg栅极电荷为14.6nC，并且沟道模式为增强。
带有用户指南的GA05JT01-46，包括30 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极电压下工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供漏极-漏极电阻特性，如620 mOhms，Pd功耗设计为20 W，以及散装封装，该装置也可用作TO-46-3包装箱。此外，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+225℃，最大漏极-栅极电压为25 V，Id连续漏极电流为9 A，栅极-源极截止电压为3.45 V，漏极-源极电压Vdss为5.8 A，配置为单级。
GA05JT12-247带有电路图，包括管封装，它们设计用于GA05JT12系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
GA05JT12-263具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装，系列如数据表注释所示，用于GA05JT12。
