9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPU60R2K0C6BKMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPU60R2K0C6BKMA1参考价格0.28000美元。Infineon Technologies IPU60R2K0C6BKMA1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3。您可以下载IPU60R2K0C6BKMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPU60R2K0C6是MOSFET N-Ch 650V 2.4A IPAK-3，包括XPU60R2系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPU60R2 K0C6BKMA1 IPU60R3 K0C6XK SP000931528的零件别名，该IPU60R4 K0C6XKSP000931提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于PG-TO251，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1 N沟道，该器件为1 N型沟道晶体管，该器件具有22.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为6.7nC，沟道模式为增强。
IPU60R1K5CEBKMA1带有用户指南，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供0.012102 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为8 ns，以及40 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有技术硅，上升时间为7ns，Rds漏极-源极电阻为1.5欧姆，Qg栅极电荷为9.4nC，Pd功耗为28W，部件别名为IPU60R1K5CE SP001276062，封装为管，封装盒为TO-251-3，通道数量为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为3.1A，下降时间为20ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的IPU60R1K5CEAKMA1，包括TO-251-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPU60R1 K5CE SP001369534的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
IPU60R1K5CEAKMA2具有EDA/CAD模型，包括管包装，它们设计用于to-251-3包装箱。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了零件别名功能，如IPU60R1 K5CE SP001396898。
