9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL23NS3LH7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL23NS3LH7参考价格为1.958美元。STMicroelectronics STL23NS3LH7封装/规格：MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT。您可以下载STL23NS3LH7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STL23NM50N是MOSFET N-Ch 500V 0.170Ohm 14A pwr MOSFET，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供3 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，下降时间为29 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为14 A，Vds漏极-源极击穿电压为550 V，Vgs栅-源极阈值电压为3 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为210mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为71ns，典型接通延迟时间为6.6ns，Qg栅极电荷为45nC。
STL23NM60ND是MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作N通道MDmesh系列。此外，上升时间为45 ns，器件提供150 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有70 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为3 W，封装为卷轴，封装盒为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为19.5 a，下降时间为40 ns。
STL23N85K5带有ST制造的电路图。STL23N55K5采用FLAT封装，是IC芯片的一部分。
