9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVD6820NLT4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVD6820NLT4G参考价格为0.818美元。onsemi NVD6820NLT4G封装/规格：MOSFET N-CH 90V 10A/50A DPAK。您可以下载NVD6820NLT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVD6416ANLT4G是MOSFET NFET DPAK 100V 19A 81MO，包括NTD6416ANNL系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备还可以用作71 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，器件具有80 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为74 mOhm，晶体管极性为N沟道。
NVD6416ANT4G是MOSFET NFET DPAK 100V 17A 81MO，包括100V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计为在NTD6416AN中工作，该器件也可以用作71W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有安装式SMD/SMT，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 a。
NVD6495NLT4G带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用Si技术操作。
