9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的TP5335K1-G-VAO，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TP5335K1-G-VAO参考价格为8.594美元。Microchip Technology TP5335K1-G-VAO封装/规格：MOSFET P-CH 350V 85MA SOT23-3。您可以下载TP5335K1-G-VAO英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TP5322K1-G是MOSFET 220V 12 Ohm 0.7A，包括卷轴封装，其设计为以0.050717 oz的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SOT-23-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供360 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为-120 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-220V，Rds漏极源极导通电阻为12欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
TP5322N8-G是MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-220 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001862盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为15 ns，器件的漏极-源极电阻为12欧姆，Pd功耗为1.6 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-89-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-260 mA，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
TP53190N，带有NS制造的电路图。TP53190N采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
TP5325N8-G，带有SUPERTEX制造的EDA/CAD模型。TP5325N8-G采用SOT-89封装，是IC芯片的一部分。
