9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVD5863NLT4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVD5863NLT4G参考价格为0.44000美元。onsemi NVD5863NLT4G封装/规格：MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK。您可以下载NVD5863NLT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVD5807NT4G是MOSFET N-CH 40V 23A DPAK，包括NTD58077N系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.139332盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有33 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为20.4ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为23 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极上源极电阻为20mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为12.6nC，正向跨导Min为8.1S。
NVD5806NT4G是MOSFET功率MOSFET 40V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作NTD5806N系列。此外，Rds漏极源极电阻为12.7 mOhms，该器件提供40 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏极电流为33 a，配置为单通道。
NVD5862NT4G是MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM，包括98A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了to-252-3中使用的封装盒，该封装盒提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计为工作在5.7 mOhms，以及NVD5862N系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.13932盎司，器件具有60 V的Vds漏极-源极击穿电压。
