RAL045P01TCR
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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- 单价: ¥31.38349
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- +
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管类型 P-通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 最大功耗 1W（Ta）
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 漏源电压标 (Vdss) 12伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A (Ta)
- 最大栅源极电压 (Vgs) -8V
- 包装/外壳 6-SMD, Flat Leads
- 供应商设备包装 TUMT6
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 4.5A, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4200 pF @ 6 V
RAL045P01TCR 产品详情
P沟道MOSFET晶体管
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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RAL045P01TCR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RAL045P01TCR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RAL045P01TCR价格参考￥31.383486，你可以下载 RAL045P01TCR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RAL045P01TCR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
