国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势，加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计者提供了一种适用于各种应用的极其高效和可靠的器件。
● 第五代技术
● 超低导通电阻
● P沟道Mosfet
● 表面贴装
● 提供磁带和卷轴
● 动态dv/dt额定值
● 快速切换
特色
- 符合RoHS
- 低RDS（打开）
- 行业领先的质量
- 动态dv/dt额定值
- 快速切换
- 完全雪崩等级
- 175°C工作温度
- P沟道MOSFET
IRF7416TRPBF-1
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥152.20230
-
数量:
- +
- 总计: ¥152.20
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规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电流 (Id) @ 温度 10A（Ta）
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 最大功耗 2.5W（Ta）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1700 pF @ 25 V
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 92 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 20欧姆@5.6A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.04V @ 250A
IRF7416TRPBF-1 产品详情
IRF7416TRPBF-1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF7416TRPBF-1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF7416TRPBF-1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF7416TRPBF-1价格参考￥152.202301，你可以下载 IRF7416TRPBF-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF7416TRPBF-1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
