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IRF7410TRPBF-1

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥7.43122
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    - +
  • 总计: ¥7.43
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功耗 2.5W(Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7毫欧姆 @ 16A, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 91 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8676 pF @ 10 V
  • 样式 -

IRF7410TRPBF-1 产品详情

P沟道功率MOSFET 12V至20V,Infineon

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的P沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 符合RoHS
  • 行业领先的质量
  • 行业标准引线
  • P沟道MOSFET
IRF7410TRPBF-1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF7410TRPBF-1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7410TRPBF-1价格参考¥7.431215,你可以下载 IRF7410TRPBF-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7410TRPBF-1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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