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STL21N65M5是MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88,包括MDmesh M5系列,它们设计为使用卷筒封装,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表说明所示,该SMD/SMT提供封装盒功能,如PowerFlat-8,技术设计为在Si中工作,以及1通道数的通道,该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外,Pd功耗为3 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为12 ns,上升时间为10 ns,Vgs栅极-源极电压为25 V,Id连续漏极电流为17 A,Vds漏极-源极击穿电压为650 V,Rds漏极源极电阻为175 mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为37ns,Qg栅极电荷为44nC。
STL21-55CSVGT-072PC/TRU,带有MPE GARRY制造的用户指南。是IC芯片的一部分。
STL21-55CSVGT-72PU REEL,电路图由MPE GARRY制造。是IC芯片的一部分。