9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的R6008FNX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。R6008FNX参考价格为3.64000美元。Rohm Semiconductor R6008FNX封装/规格：MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM。您可以下载R6008FNX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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R6008ANX是MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM，包括R6008ANX系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有50W的Pd功耗，下降时间为35ns，上升时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为8A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极源极电阻为800mΩ，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是60ns，并且典型接通延迟时间是25ns，并且Qg栅极电荷是21nC，并且正向跨导Min是2.5S。
R6008FNJTL是MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.068654盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及R6008FNJ系列，该器件也可以用作950毫欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-263-3封装盒，该器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为8A。
R6008ANJ TL，电路图由ROHM制造。R6008ANJ TL采用SOT263封装，是IC芯片的一部分。
