9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL4P2UH7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL4P2UH7参考价格为1.022美元。STMicroelectronics STL4P2UH7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4A POWERFLAT。您可以下载STL4P2UH7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL4N80K5，带引脚细节，包括SuperMESH5？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如8-PowerVDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装安装类型。此外，信道数为1信道，设备采用PowerFlat？（5x6）供应商设备包，该设备具有三重共源配置，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，最大功率为38W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis Vds为175pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.5 Ohm@1.5A，10V，Vgs的最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为10.5nC@10V，Pd功耗为38 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为16.5ns，Qg栅极电荷为10.5nC。
带用户指南的STL4N10F7，包括4.5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如6.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为11 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件具有3 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为70 mOhms，Qg栅极电荷为7.8 nC，Pd功耗为2.9 W，封装为卷轴式，封装盒为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为4.5 A，下降时间为4 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STL4600BCV，带有SIGMATEL制造的电路图。STL4600BCV以QFP封装形式提供，是IC芯片的一部分。
