9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL8P2UH7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL8P2UH7的参考价格为11.908美元。STMicroelectronics STL8P2UH7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT。您可以下载STL8P2UH7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STL8N80K5是MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener protec，包括MDmesh K5系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供42 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为800m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为16.5nC，沟道模式为增强。
STL8N6LF6AG，带有ST制造的用户指南。STL8N6F6AG以DFN5X6封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单个、，并支持“MOSFET汽车级双N沟道60 V、N沟道60V 32A（Tc）4.8W（Ta）、55W（Tc）表面贴装PowerFlat？（5x6）、Trans MOSFET N-CH 60V 32B汽车8针电源Flat EP T/R、MOSFET汽车级别双N沟道60 V、27 mO典型值、20 A STripFET II功率MOSFET，采用PowerFlat 5x6双岛封装。
STL8NH3LL是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ。STL8NH1LL采用8-PowerVDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 8A PWRFLAT3.3SQ、N沟道30V 8A（Tc）2W（Ta）、50W（Tc）表面安装PowerFlat？（3.3x3.3），Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8引脚电源扁平T/R。
