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SI1427EDH-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，产品名称显示在TrenchFET中使用的数据表注释中，提供6-TSSOP、SC-88、SOT-3633等封装箱功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在SC-70-6（SOT-363）供应商设备包中提供，该设备具有MOSFET P信道，FET型金属氧化物，最大功率为2.8W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Tc），最大Id Vgs的Rds为64mOhm@3A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@8V，晶体管极性为P沟道。
SI1426DH-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6。SI1426DH-T1-E3采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6、N沟道30V 2.8V（Ta）1W（Ta）表面安装SC-70-6（SOT-363）、Trans MOSFET N-CH30V 2.86引脚SC-70T/R。
SI1426DH-T1-GE3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6。SI1426DH-T1-GE3以6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6、N沟道30V 2.8B（Ta）1W（Ta）表面安装SC-70-6（SOT-363）。
