AUIRFN8401TR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 84A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 63W (Tc) 供应商设备包装: PQFN(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥12.74750
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.75
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 84A (Tc)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2170 pF@25 V
- 供应商设备包装 PQFN(5x6)
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 66 nC @ 10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 50A
- 导通电阻 Rds(ON) 4.6毫欧姆 @ 50A, 10V
- 最大功耗 4.2W (Ta), 63W (Tc)
AUIRFN8401TR 产品详情
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用最新的工艺技术,实现了每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点是175°C结工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起,使本产品成为一种极其高效和可靠的设备,可用于汽车和各种其他应用。
AUIRFN8401TR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AUIRFN8401TR 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AUIRFN8401TR价格参考¥12.747504,你可以下载 AUIRFN8401TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AUIRFN8401TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。