9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6728MTR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6728MTR1PBF参考价格为7.274美元。Infineon Technologies IRF6728MTR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET。您可以下载IRF6728MTR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF6726MTRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于DIRECTFET-3，提供Si等技术特性，通道数设计用于1个通道，以及单一配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为89W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为17ns，上升时间为30ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为180A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅-源极阈值电压为1.7V，并且Rds导通漏极-源极电阻为1.7mOhm，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为25ns，并且典型接通延迟时间为20ns，并且Qg栅极电荷为51nC，并且正向跨导Min为150S。
IRF6727MTRPBF是MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及1.84 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作49nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为89 W，该器件采用卷筒封装，该器件具有DirectFET-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为180 a。
IRF6726MTR1PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET。IRF6726MT R1PBF可在DIRECTF封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 32B DIRECTFET、N沟道30V 32C（Ta）、180A（Tc）2.8W（Ta）和89W（Tc？MT，Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7引脚直接FET MT T/R。
IRF6728L2TRPBF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRF6728L2 TRPBF采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
