9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6892STR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6892STR1PBF价格参考3.882美元。Infineon Technologies IRF6892STR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 28A DIRECTFET。您可以下载IRF6892STR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF6802SDTRPBF是MOSFET 2N-CH 25V 16A SA，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，产品名称显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装外壳功能，如DirectFET？Isometric SA，Technology设计用于Si，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备采用DIRECTFET？SA供应商设备包，该设备具有双重配置，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为1.7W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis Vds为1350pF@13V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为16A，最大Id Vgs为4.2mOhm@16A，10V，Vgs最大Id为2.1V@35μA，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@4.5V，Pd功耗为1.7W，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，漏极-漏极电阻为4.5m欧姆，晶体管极性为N沟道。
IRF6811STRPBF是MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，商品名设计用于DirectFET，以及Si技术，该器件也可以用作5.4mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为11 nC，该器件提供32 W Pd功耗，该器件具有一个卷式封装，封装盒为DirectFET-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为74 a，配置为单双漏。
IRF6811STR1PBF是MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC，包括单双漏极配置，设计用于74 a Id连续漏极电流，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供多个信道功能，如1信道，封装盒设计用于DirectFET-6，以及卷筒封装，该器件也可以用作32W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为11nC，器件的漏极-源极电阻为5.4mOhms Rds，器件具有技术硅，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极-漏极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极电压为16V。
IRF6810STRPFF是MOSFET DirectFET，包括SMD/SMT安装样式，它们设计为使用Si技术操作。数据表说明中显示了用于卷筒的封装，该卷筒提供晶体管极性功能，如N沟道，包装盒设计为在DirectFET-4中工作，以及DirectFET商品名，该器件也可以用作5.6毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，该器件提供2.1 W Pd功耗，该器件具有16 a的Id连续漏极电流。
