9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的PSMN040-200W、127，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN040-200W，127价格参考1.22美元。NXP USA Inc.PSMN040-200W，127封装/规格：MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3。您可以下载PSMN040-200W，127英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如PSMN040-200W，127价格，库存数量，数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PSMN040-100MSEX是MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于SOT-1210，8-LFPAK3（5引线），提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为LFPAK33，该设备为单配置，该设备具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为91W，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为1470pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为30A（Tj），Rds On Max Id Vgs为36.6 mOhm@10A，10V，Vgs th Max Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为30nC@10V，Pd功耗为91W，下降时间为13ns，上升时间为14.1ns，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs th-栅极-源极阈值电压为3.3V，Rds导通漏极-源极电阻为36.6毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18.7ns，典型接通延迟时间为8.3ns，Qg栅极电荷为30nC。
带有用户指南的PSMN038-100YLX，包括1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为31 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为18 ns，器件的漏极-源极电阻为37.5 mOhms，Qg栅极电荷为21.6nC，Pd功耗为94.9W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为30 A，下降时间为18 ns，配置为三重共源，通道模式为增强。
PSMN039-100YS，带有NXP制造的电路图。PSMN039-100YS以SOT-669封装形式提供，是FET的一部分-单个。
PSMN040-200W是PHM制造的MOSFET N-CH 200V 50A SOT429。PSMN040-200W采用TO-247-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 200V 50A SOT429。
