9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH4209DTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH4209DTRPBF价格参考1.976美元。Infineon Technologies IRFH4209DTRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN。您可以下载IRFH4209DTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFH3707TRPBF是MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单四漏极三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为2.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.6 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为29 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.35V至2.35V，Rds导通漏极-源极电阻为17.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.9ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为5.4nC，正向跨导最小值为17S，沟道模式为增强。
IRFH4201TRPBF是MOSFET N-CH 25V 49A 8PFN，包括1.6V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25V，提供典型的开启延迟时间特性，如20ns，典型的关闭延迟时间设计为24ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为FastIRFet，该器件采用Si技术，器件的上升时间为43纳秒，漏极-源极电阻Rds为970欧姆，Qg栅极电荷为94 nC，Pd功耗为3.5 W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为49 A，正向跨导最小值为175 S，下降时间为19 ns，配置为单一。
第3707页。电路图由IR制造。IRFH3707TRPBF。QFN封装中提供，是IC芯片的一部分。
