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SI4420-D1-FT是IC RF TXRX ISM，包括SI4420系列，它们设计用于仅TXRX型，数据表中显示了用于管替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.002037盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及16-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）包装箱，该设备也可用于315MHz、434MHz、868MHz、915MHz频率，其工作温度范围为-40°C~85°C，该设备在315 MHz至915MHz频率范围内提供，该设备的灵敏度为-109dBm，电压供应为2.2V~5.4V，数据速率最大值为256kbps，串行接口为SPI，功率输出为8dBm，输出功率为4 dBm至8 dBm，电流接收为11mA至13mA，RF系列标准为通用ISM，调制为FSK，GPIO为，电流发射为13mA至24mA，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为2.2 V至5.4 V，接口类型为SPI，电源电压Max为5.4V，电源电压Min为2.2V，接收机数量为2，调制格式为FSK，发射机数量为2。
SI4420BDY-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以11 ns上升时间提供，器件具有8.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.4 W，零件别名为SI4420BDY-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9.5 A，下降时间为11 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4420-D1-FTR是IC RF TXRX ISM，包括11mA～13mA电流接收，它们设计用于13mA～24mA电流发射，数据表说明中显示了256kbps的最大数据速率，提供315MHz、434MHz、868MHz、915MHz等频率特性，GPIO设计用于，以及FSK调制，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，包装箱为16-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），设备采用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，设备的功率输出为8dBm，RF系列标准为通用ISM，灵敏度为-109dBm，串行接口为SPI，系列为SI4420，类型为仅TxRx，电压供应为2.2V~5.4V。
SI4420DY是PHI制造的MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC。SI4420DY采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC、N沟道30V 12.5V（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO、Trans MOSFET N-CH30V 9.5A 8-Pin SOIC N。
