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IPD50N06S4L-12是MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD50NO6S4L12ATMA1 IPD50NO 6S4L12TTMA2 IPD50N 6S4L12XT SP001028640，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为50 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为2 ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为12mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型导通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为30nC，并且信道模式是增强。
IPD50N06S4L08ATMA1，带有用户指南，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了XPD50N06等系列功能，零件别名设计用于IPD50N6S4L-08 IPD50NO6S4L08XT SP000374332以及卷筒包装，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，信道数为1信道。
IPD50N06S4L08ATMA2，带电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计用于to-252-3包装箱。包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如IPD50NO6S4L-08 IPD50N6S4L08XT SP001028664，系列设计用于IPD50NO 6，以及Si技术，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
