9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RQ3E130MNTB1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RQ3E130MNTB1价格参考1.09000美元。Rohm Semiconductor RQ3E130MNTB1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8。您可以下载RQ3E130MNTB1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RQ3E120GNTB，带有引脚细节，包括RQ3E120TB系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如HSMT-8，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.4 ns，上升时间为4.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25.5ns，典型接通延迟时间为9.6ns，Qg栅极电荷为10nC，正向跨导Min为10S。
带有用户指南的RQ3E120ATTB，包括1个P沟道晶体管类型，它们设计为与P沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了RQ3E120TB等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及TSMT-8封装盒，该设备也可以用作1信道数的信道。此外，安装类型为SMD/SMT。
带电路图的RQ3E120BNTB，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷筒包装一起工作，系列如数据表注释所示，用于RQ3E120TB，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
RQ3E130BNTB具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于RQ3E130TB系列，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供晶体管极性特性，如N沟道，晶体管类型设计用于1 N沟道以及1沟道数量的沟道。
