TPCC8105,L1Q(CM

规格参数

• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 23A（Ta）
• 场效应管类型 P-通道
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 工作温度 150摄氏度
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 76 nC @ 10 V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@500A.
• 包装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3240 pF @ 10 V
• 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-25伏
• 最大功耗 700mW (Ta), 30W (Tc)
• 供应商设备包装 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 导通电阻 Rds(ON) 7.8毫欧姆 @ 11.5A, 10V