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TPCC8136.LQ
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TPCC8136.LQ

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta), 18W (Tc) 供应商设备包装: 8-TSON Advance (3.1x3.1) 工作温度: 150摄氏度
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥65.63516
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥65.64
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 工作温度 150摄氏度
  • 供应商设备包装 8-TSON Advance (3.1x3.1)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@1毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.4A (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36 nC @ 5 V
  • 最大功耗 700mW (Ta), 18W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 16欧姆@9.4A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2350 pF @ 10 V
  • 样式 -

TPCC8136.LQ 产品详情

  • 应用范围:锂离子二次电池/电源管理开关
  • 极性:P-ch
  • 生成:U-MOSⅥ
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 装配基地:中国

特色

  • 装配底座:-2.0 V
  • 装配底座:17.6 mΩ
  • 装配底座:23 mΩ
  • 装配底座:1700 pF
  • 装配底座:40 nC

应用

锂离子二次电池/电源管理开关
TPCC8136.LQ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPCC8136.LQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPCC8136.LQ价格参考¥65.635160,你可以下载 TPCC8136.LQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPCC8136.LQ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

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