9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFILED625，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFILED625参考价格$5.292。STMicroelectronics STMILED625封装/规格：MOSFET N-CH 620V 4.5A I2PAKFP。您可以下载STFILED625英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STFI8N80K5带有引脚细节，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAKFP-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供25 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为950mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为16.5nC，沟道模式为增强。
带用户指南的STFI7N80K5，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800V，提供典型的开启延迟时间功能，如11.3ns，典型的关闭延迟时间设计为23.7ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为MDmesh K5系列，该器件的上升时间为8.3 ns，漏极-源极电阻Rds为1.2欧姆，Qg栅极电荷为13.4 nC，Pd功耗为25 W，封装为管，封装盒为I2PAKFP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为20.2 ns，配置为单一。
带有电路图的STFILED524，包括管包装，它们设计为与STFILED524-系列一起工作，数据表注释中显示了用于Si的技术。
STFI9N80K5采用ST.制造的EDA/CAD型号，是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，并支持“MOSFET N沟道800V、N沟道800 V 7A（Tc）25W（Tc）通孔、Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3引脚（3+Tab）I2PAKFP管、MOSFET N信道800 V、0.73欧姆典型值、I2PAKF封装中的7 A MDmesh K5功率MOSFET”。
