9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB47N60DM6AG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB47N60DM6AG参考价格为8.658美元。STMicroelectronics STB47N60DM6AG封装/规格：AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V。您可以下载STB47N80DM6AG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB40N60M2是MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK，包括MDmesh？II Plus系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为250W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为2500pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为34A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为88 mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为57nC@10V，Pd功耗为250 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为13.5ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25V，Id连续漏极电流为34A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为88mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为20.5ns，Qg栅极电荷为57nC，信道模式为增强。
STB40N20是由ST制造的MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK。STB40N20有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH200V 40A-D2PAK、N沟道200V40A（Tc）160W（Tc。
STB40NE03带有ST制造的电路图。STB40NE03采用TO263封装，是IC芯片的一部分。
