9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP400N4F6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP400N4F6参考价格为5.492美元。STMicroelectronics STP400N4F6封装/规格：MOSFET N-CH 40V 120A TO220。您可以下载STP400N4F6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP3NK90Z是MOSFET N-CH 900V 3A TO-220，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有90 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为3 a，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为22.7nC，正向跨导最小值为2.7S，沟道模式为增强。
STP3NK90ZFP是MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N通道MDmesh系列，该器件的上升时间为7ns，漏极电阻Rds为4.8欧姆，Pd功耗为25W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3A，下降时间为18ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP4000QFP，带有三星制造的电路图。STP4000QFP在QFP封装中提供，是IC芯片的一部分。
