9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的US5U38TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US5U38TR参考价格为0.56000美元。Rohm Semiconductor US5U38TR封装/规格：MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5。您可以下载US5U38TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US5U35TR是MOSFET P Chan-45V+/-0.7A 4V驱动器，包括US5U35系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供TUMT-5等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供700 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为700 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-25V，Rds漏极源极电阻为800m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强型。
US5U30TR是MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于9 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如25 ns，晶体管类型设计为在1个P沟道中工作，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为US5U30，器件的上升时间为8 ns，器件的漏极-源极电阻为280 mOhms，Pd功耗为1 W，封装为卷轴式，封装盒为TUMT-5，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1A，下降时间为10ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
US5U35，电路图由ROHM制造。US5U35在SOT353封装中提供，是FET的一部分-单个。
