结构
硅N沟道MOSFET
应用
切换
特色
1） 导通电阻低。
2） 低输入电容。
3） 高ESD。
R6015ANZC8
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥83.16298
-
数量:
- +
- 总计: ¥83.16
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 50 nC @ 10 V
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 15A（Tc）
- 最大功耗 110W（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1700 pF @ 25 V
- 部件状态 过时的
- 供应商设备包装 TO-3PF
- 包装/外壳 TO-3P-3全套
- 导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 7.5A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.15V @ 1毫安
R6015ANZC8 产品详情
R6015ANZC8 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | R6001NLT | 因瑞康有限公司 (iNRCORE) | XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T | ¥83.13328 |
 | R6001NL | 因瑞康有限公司 (iNRCORE) | XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T | ¥131.82078 |
 | R60DF4220506AK | 基美 (AC) | 电容: 2.2F 公差: ±10% 直流电额定电压: 63V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~105摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥5.57703 |
 | R60EF4150506AK | 基美 (AC) | 电容: 1.5F 公差: ±10% 直流电额定电压: 100伏 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~105摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥5.93918 |
 | R60ER51005040J | 基美 (AC) | 电容: 10F 公差: ±5% 直流电额定电压: 100伏 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~105摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥31.79633 |
 | R60GF3470AA6AK | 基美 (AC) | 电容: 0.47F 公差: ±10% 直流电额定电压: 160伏 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~105摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥4.9976 |
 | R60IF3100506AK | 基美 (AC) | 电容: 0.1F 公差: ±10% 直流电额定电压: 250伏 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~105摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥3.76631 |
 | R60PI2470AA30J | 基美 (AC) | 电容: 0.047F 公差: ±5% 直流电额定电压: 630V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~105摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1.73406 |
 | R60II3220AA30K | 基美 (AC) | 电容: 0.22F 公差: ±10% 直流电额定电压: 250伏 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~105摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥5.79432 |
 | R60EW61005000K | 基美 (AC) | 电容: 100F 公差: ±10% 直流电额定电压: 100伏 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~105摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥117.47984 |
R6015ANZC8所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，R6015ANZC8 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。R6015ANZC8价格参考￥83.162978，你可以下载 R6015ANZC8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询R6015ANZC8规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
