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BBL4001

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta),35W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥59.60907
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥59.61
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 135 nC@10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.6V@1毫安
  • 最大功耗 2W(Ta),35W(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6900 pF @ 20 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 74A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.1毫欧姆 @ 37A, 10V

BBL4001 产品详情

BBL4001是一种N沟道功率MOSFET,60V,74A,6.1mΩ,TO-220F-3SG。

特色

  • ON电阻RDS(ON)1=4.7mΩ(典型值)
  • 输入电容Cis=6900pF(典型值)
  • 4V驱动器

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用
BBL4001所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BBL4001 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BBL4001价格参考¥59.609067,你可以下载 BBL4001中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BBL4001规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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