9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVD5867NLT4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVD5867NLT4G参考价格为0.22000美元。onsemi NVD5867NLT4G封装/规格：MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3。您可以下载NVD5867NLT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVD5865NLT4G是MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM，包括NVD5865NL系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有71 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为4.4 ns，上升时间为12.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为46 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为8.4ns，Qg栅极电荷为29nC，正向跨导最小值为15S。
NVD5863NLT4G是MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性。系列设计用于NVD5863 NL，以及7.1 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有82A的Id连续漏电流。
NVD5862NT4G是MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM，包括98A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了to-252-3中使用的封装盒，该封装盒提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计为工作在5.7 mOhms，以及NVD5862N系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件的单位重量为0.13932盎司，器件具有60 V的Vds漏极-源极击穿电压。
