9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的R5011FNJTL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。R5011FNJTL价格参考1.93000美元。Rohm Semiconductor R5011FNJTL封装/规格：MOSFET N-CH 500V 11A LPT。您可以下载R5011FNJTL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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R5011615XXWA是DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205，包括散装包装，它们设计用于DO-205AA、DO-8、螺柱包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备包功能，如DO-205AB（DO-8），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作30mA@1600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.4V@470A，该器件提供1600V（1.6kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有150A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为7μs，其工作温度结范围为-65°C ~ 200°C。
R5011FNJTL带有用户指南，其中包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了在Si中使用的技术，该Si提供了R5011FNJ等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及1信道数量的信道。
R5011ANX是“由Rohm Semiconductor制造的MOSFET硅N沟道MOSFET。R5011ANX采用TO-220F封装，是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，并支持”MOSFET硅N-沟道MOSFET、N沟道500V 11A（Ta）50W（Tc）通孔TO-220FM、MOSFET硅N-沟道MOSFET，10V驱动，N沟道，包含G-S保护二极管，低导通电阻，快速切换，宽SOA。
