特色
- 低导通电阻
- 通过减少传导损耗提高效率，减少散热
- 高速切换
- 减少动态功耗
- 1.8V驱动器
- 低压驱动
- ESD二极管保护门
- ESD电阻
- 超小型包装MCPH6（2.0mm×2.1mm×0.85mmt）
- 节省板空间
- 无铅和RoHS合规
应用
- 负载开关
- 同步升压转换器
- 电池充电器
- 电力银行
- 英语学习系统
MCH6421-TL-W
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: SC-88FL/MCPH6 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2061
- 库存: 294814
- 单价: ¥1.08644
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,239.14
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.5A (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.3V@1毫安
- 最大功耗 1.5W（Ta）
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 部件状态 过时的
- 供应商设备包装 SC-88FL/MCPH6
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.1 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 410 pF @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 38毫欧姆 @ 2A, 4.5V
MCH6421-TL-W 产品详情
该功率MOSFET采用ON Semiconductor的沟槽技术生产，专门设计用于最小化栅极电荷和低导通电阻。该器件适用于具有低栅极电荷驱动或低导通电阻要求的应用。
MCH6421-TL-W 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MCH60-014 | 英国城市技术 (City) | TRANDUCER H2S 3MH 1MV/PPM O/P | ¥558.6724 |
| MCH60-024 | 英国城市技术 (City) | TRANDUCER H2S 3MH 10MV/PPM O/P | ¥992.31701 |
| MCHP1/81001R00F412 | TT电子 (TT) | MCHP-1/8-100-1R00-F-412C | ¥15.71709 |
 | MCH185CN681KK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 680 pF 公差: ±10% 额定电压: 50V 温度系数: X7R 包装/外壳: 0603（1608公制） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥4.93966 |
 | MCH185CN102KK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 1000 pF 公差: ±10% 额定电压: 50V 温度系数: X7R 包装/外壳: 0603（1608公制） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥2.21633 |
 | MCH182FN104ZK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 0.1F 公差: -20%，+80% 额定电压: 25伏 温度系数: Y5V (F) 包装/外壳: 0603（1608公制） 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度 | ¥0.76775 |
 | MCH183FN224ZK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 0.22F 公差: -20%，+80% 额定电压: 16伏 温度系数: Y5V (F) 包装/外壳: 0603（1608公制） 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度 | ¥1.11541 |
 | MCH032ANR75CK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 0.75 pF 公差: ±0.25皮法 额定电压: 25伏 温度系数: C0G，NP0 包装/外壳: 0201（0603公制） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥7.63402 |
| MCH155A121JK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 120 pF 公差: ±5% 额定电压: 50V 温度系数: C0G，NP0 包装/外壳: 0402（1005公制） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥1.69484 |
 | MCH185A050CK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 5 pF 公差: ±0.25皮法 额定电压: 50V 温度系数: C0G，NP0 包装/外壳: 0603（1608公制） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥3.72285 |
MCH6421-TL-W所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，MCH6421-TL-W 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MCH6421-TL-W价格参考￥1.086435，你可以下载 MCH6421-TL-W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MCH6421-TL-W规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
