9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RQ3E100MNTB1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RQ3E100MNTB1价格参考1.09000美元。Rohm Semiconductor RQ3E100MNTB1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8。您可以下载RQ3E100MNTB1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RQ3E100GNTB带有引脚细节，包括RQ3E100TB系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如HSMT-8，技术设计用于Si，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.1 ns，上升时间为4.3 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为11.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22.4ns，典型接通延迟时间为8.4ns，Qg栅极电荷为7.9nC，正向跨导最小值为8S。
带有用户指南的RQ3E080GNTB，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如6.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为17.3ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为RQ3E080TB系列，该器件的上升时间为3.6 ns，漏极-源极电阻Rds为16.7 mOhms，Qg栅极电荷为5.8 nC，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装盒为HSMT-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为8 A，正向跨导最小值为7 S，下降时间为2.4 ns，配置为单一。
带电路图的RQ3E080BNTB，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷筒包装一起工作，系列如数据表注释所示，用于RQ3E080BN，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
RQ3E100BNTB具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于RQ3E100TB系列，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供晶体管极性特性，如N沟道，晶体管类型设计用于1 N沟道以及1沟道数量的沟道。
