9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的R6047ENZ1C9，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。R6047ENZ1C9参考价格$3.104。Rohm Semiconductor R6047ENZ1C9封装/规格：MOSFET N-CH 600V 47A TO247。您可以下载R6047ENZ1C9英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如R6047ENZ1C9价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
R6046FNZC8是MOSFET硅N沟道MOSFET；600V，包括R6046NZ系列，设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.245577盎司，提供通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-3P-3以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置是单一的，该器件以1 N沟道晶体管类型提供，该器件具有120W的Pd功耗，下降时间为80ns，上升时间为150ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为46A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极源极电阻为93mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为230ns，典型接通延迟时间为77ns，Qg栅极电荷为150nC。
R6046FNZ1C9是MOSFET 10V驱动Nch 600V 46A MOSFET，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了R6046VNZ1等系列功能，封装设计为批量工作，以及1沟道数的信道。
R6046ANZC8是MOSFET硅N沟道MOS FET，包括1个沟道数量的沟道，它们设计为与散装封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于R6046ANZ，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道以及1个N沟道晶体管类型中工作。
