9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MCH3333A-TL-W,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MCH3333A-TL-W参考价格$4.398。onsemi MCH3333A-TL-W封装/规格:MOSFET P-CH 30V 2A SC70FL/MCPH3。您可以下载MCH3333A-TL-W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MCH3333A-TL-W带有引脚细节,包括卷筒包装,设计用于0.000219盎司的单位重量,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供SC-70-3等封装盒功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,Pd功耗为900mW,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围是-55 C,下降时间为16 ns,上升时间为9.7 ns,Vgs栅极-源极电压为+/-10 V,Id连续漏极电流为-2A,Vds漏极-源极击穿电压为-30 V,第Vgs栅极-源极阈值电压为-1.3V,Rds漏极-源极电阻为430mOhm,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为27ns,典型接通延迟时间为5.7ns,Qg栅极电荷为2.8nC,沟道模式为增强。
MCH3333A-TL-H,带有用户指南,包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为以124600 mg单位重量运行,数据表注释中显示了用于1个P通道的晶体管类型,该通道提供晶体管极性特性,如P通道,技术设计用于Si,以及MCH3333A系列,该器件也可以用作215毫欧Rds漏极-源极电阻。此外,包装为卷筒式,装置采用SOT-323-3包装箱,装置具有1个通道数,Id连续漏电流为-2A。
MCH3333,电路图由SANYO制造。MCH3333在SOT-323封装中提供,是FET的一部分-单个。