NDPL070N10BG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Ta) 最大功耗: 2.1W (Ta), 72W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: 175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 545
- 库存: 3344
- 单价: ¥3.98360
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,171.06
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26 nC@10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
- 工作温度 175摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏、15伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 70A (Ta)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2010 pF@50 V
- 导通电阻 Rds(ON) 10.8毫欧姆@35A，15V
- 最大功耗 2.1W (Ta), 72W (Tc)
- 样式 -
NDPL070N10BG 相关器件
NDPL070N10BG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NDPL070N10BG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NDPL070N10BG价格参考￥3.983595，你可以下载 NDPL070N10BG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDPL070N10BG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
