9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP39N04LGHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP039N04LGHKSA1价格参考2.752美元。英飞凌科技IPP039N04LGHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3。您可以下载IPP039N04LGHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP039N04L G是MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP39N04LGXK IPP39NO4LGXKSA1 SP000680782，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为94 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为5.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPP037N08N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于80 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及OptiMOS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IPP037N08，该器件提供3.5 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有214 W Pd功耗，零件别名为G IPP0037N08N3 IPP037NO8N3GXK SP000680776，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为100 A，配置为单一。
IPP037N08N3G，带有INFINEON制造的电路图。IPP037N08N3G在TO-220封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPP39N04LG，带有INF/EDA/CAD型号。IPP39NO4LG采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
