9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP50R199CPHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP50R199CPHKSA1参考价格为0.97美元。Infineon Technologies IPP50R199CPHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3。您可以下载IPP50R199CPHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP50R190CEXKSA1是MOSFET N-Ch 500V 18.5A TO220-3，包括IPP50R1 90系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP50R 90CE SP000850802，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商标，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为127 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.5 ns，上升时间为8.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为18.5A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为54ns，典型导通延迟时间为9.5ns，Qg栅极电荷为47.2nC。
IPP50R199CP是MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 CoolMOS CP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的CoolMOS CP，上升时间为14 ns，漏极源极电阻Rds为199 mOhms，Pd功耗为139 W，零件别名为IPP50R199CPHKSA1 IPP50R199CPXK IPP50R1 99CPXKSA1 SP000680934，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为17A，下降时间为10ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP50R199CP=5R19P，带有INF制造的电路图。IPP50R1 99CP=5 R19P采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
