9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP50R299CPHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP50R299CPHKSA1价格参考2.858美元。Infineon Technologies IPP50R299CPHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3。您可以下载IPP50R299CPHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP50R299CP是MOSFET N-Ch 500V 12A TO220-3 CoolMOS CP，包括CoolMOS系列CP，它们设计用于管式封装，零件别名如IPP50R199CPHKSA1 IPP50R2 99CPXK IPP50R399CPXKSA1 SP000680938中使用的数据表注释所示，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为104 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为299mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IPP50R280CE是MOSFET N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS CE，该器件提供280 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有32.6 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为92 W，零件别名为IPP50R280CEXK IPP50R180CEXKSA1 SP000850810，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为13 A，配置为单一。
IPP50R280CE=5R280CE，带有INF制造的电路图。IPP50R180CE=5R280CE采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
IPP50R299CP（5R299P），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP50R299CP（5R299P）采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
