9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL9P2UH7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL9P2UH7参考价格为0.944美元。STMicroelectronics STL9P2UH7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT。您可以下载STL9P2UH7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL9N60M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供48 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.5 ns，上升时间为7.5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为4.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为860mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为8.8ns，Qg栅极电荷为10nC，沟道模式为增强。
STL9N65M2带有用户指南，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在650 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，封装设计为在卷筒中工作，以及PowerFlat-8封装盒，该器件还可以用作SMD/SMT安装样式，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃。
STL92N10F7AG，带有由ST制造的电路图，并支持“MOSFET汽车级N沟道100 V、N沟道100V 16A（Tc）5W（Ta）、100W（Tc）表面贴装PowerFlat”（5x6）、Trans MOSFET N-CH 100V 70A汽车8针电源平板EPT/R、MOSFET汽车级别N沟道100%V、典型值0.008欧姆、16 A STripFET F7功率MOSFET，采用PowerFlat 5x6封装。
