9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS9P2UH7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STS9P2UH7参考价格$8.38。STMicroelectronics STS9P2UH7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 9A 8SO。您可以下载STS9P2UH7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STS8DNF3LL是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC，包括STripFET？II系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装外壳，其工作温度范围为150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商的器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，功率最大值为1.6W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有800pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为20mOhm@4A，10V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@5V。
STS8DNH3LL是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于STripFET？三、 提供Rds On Max Id Vgs功能，如22mOhm@4A、10V，Power Max设计为2W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有857pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为10nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
STS8DNF30L，带有ST制造的电路图。STS8DNF30L以SOP封装形式提供，是IC芯片的一部分。
STS8NFS30L带有ST制造的EDA/CAD模型。STS8NFS30L采用SMD8封装，是IC芯片的一部分。
