9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMT69M8LPS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMT69M8LPS-13参考价格$8.678。Diodes Incorporated DMT69M8LPS-13封装/规格：MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI。您可以下载DMT69M8LPS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMT6016LPS-13带有引脚细节，包括DMT60系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.003386盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1信道数信道，该器件具有供应商设备包的PowerDI5060-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，功率最大值为1.23W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为864pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10.6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为16 mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17nC@10V，Pd功耗为2.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为5.2ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10.6A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型导通延迟时间为3.4ns，并且Qg栅极电荷为17nC，并且信道模式为增强。
DMT6016LSS-13是MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.002610 oz，典型开启延迟时间设计为3.4 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联DMT60，上升时间为5.2ns，Rds漏极-源极电阻为16mOhm，Qg栅极电荷为17nC，Pd功耗为2.7W，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为10.6 A，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMT-6-12，包括Yes Center Tap（是中心抽头），它们设计用于并联1.75A、串联210mA电流输出最大值、高度固定最大值，如数据表注释所示，用于49.80mm，提供安装型功能，如底盘安装、功率最大值设计用于6 VA，以及双初级绕组，该设备还可以用作双次级绕组。此外，该系列为DMT，该设备的尺寸为82.60mm长x 44.30mm宽，该设备具有焊接、快速连接终端类型，类型为叠层铁芯，电压隔离为2500Vrms，一次电压为115V、230V，二次电压满载为并联5V、12V系列。
DMT-6-15，带EDA/CAD型号，包括Yes Center Tap，设计用于焊接、快速连接终端类型、电压二次全负载，如数据表注释所示，用于并联5V、15V系列，提供最大电流输出功能，如并联1.75A、175mA系列，类型设计用于叠层铁芯，以及双初级绕组，该设备还可以用作双次级绕组。此外，该系列为DMT，该设备为底盘安装型，该设备的尺寸为82.60mm长x 44.30mm宽，最大功率为6 VA，最大高度为49.80mm，电压隔离为2500Vrms，一次电压为115V，230V。
