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PMN34UP，115是MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP，包括Digi-ReelR交替封装封装，它们设计用于SC-74、SOT-457封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于6-TSOP，以及MOSFET P沟道、金属氧化物FET类型，该器件还可以用作540mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供1950pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为40mOhm@2.4A、4.5V，Vgs最大Id为950mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为23nC@4.5V。
PMN34UN和NXP制造的用户指南。PMN34UN在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
PMN34UP，带有NXP制造的电路图。PMN34UP在SOT-163封装中提供，是FET的一部分-单个。
PMN35EN，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PMN35EN在TSOP6封装中提供，是FET的一部分-单个。
