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IPI120N06S4-02是MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI120NO6S402AKSA1 IPI120NO 6S402AKSA 2 IPI120N 6S402XK SP001028778的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.073511盎司，商品名设计用于OptiMOS，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有120 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为2.4 mΩ，晶体管极性为N信道。
IPI120N06S4-03是MOSFET N-Ch 60V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外，漏极源极电阻Rds为2.8 mOhms，该器件采用IPI120N06S403AKSA1 IPI120NO6S403AKSA 2 IPI120NO 6S403XK SP001028772零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为120 a。
IPI120N06S4-H1是MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3，包括120 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了用于to-262-3的封装情况，该to-262-3提供了管等封装功能，零件别名设计用于IPI120NO6S4H1AKSA1 IPI120NO 6S4H1/KSA2 IPI120N 6S4H1XK SP001028784，该器件还可以用作OptiMOS-T2系列。此外，该技术为Si，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.073511盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60 V。
IPI120N06S402AKSA2带有EDA/CAD型号，包括管封装，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计用于IPI120NO6S4-02 IPI120NO 6S402XK SP001028778以及IPI120N 6系列，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，信道数为1信道。
