9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI80N06S4L05AKSA2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI80N06S4L05AKSA2参考价格为13.396美元。Infineon Technologies IPI80N06S4L05AKSA2封装/规格：MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3。您可以下载IPI80N06S4L05AKSA2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI80N06S4-07是MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装。数据表注释中显示了用于IPI80NO6S407AKSA1 IPI80NO 6S407AKSA 2 IPI80N 6S407XK SP001028676的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，该设备也可以用作I2PAK-3包装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为79 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为43nC，沟道模式为增强。
IPI80N06S4L-05是MOSFET N-Ch 60V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括2.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在16 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.084199盎司，典型开启延迟时间设计为14 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件以OptiMOS商品名提供，器件具有Si of Technology，系列为OptiMOS-T2，上升时间为4 ns，漏极-源极电阻Rds为4.8 mOhms，Qg栅极电荷为83 nC，Pd功耗为107 W，部件别名为IPI80N06S4L05AKSA1 IPI80NO6S4L05AK SA2 SP001028726，封装为Tube，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为80 A，下降时间为13 ns，通道模式为增强型。
带电路图的IPI80N06S405AKSA2，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-262-3包装箱一起工作。包装如数据表注释所示，用于管中，提供部件别名功能，如IPI80NO6S4-05 IPI80NO 6S405XK SP001028724，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
IPI80N06S407AKSA2带有EDA/CAD型号，包括管封装，它们设计为与to-262-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计为在IPI80NO6S4-07 IPI80N6S407XK SP001028676以及IPI80NO 6系列中工作，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，信道数为1信道。
