9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的PMV185XN，215，现场在9icnet销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PMV185XN，215参考价格0.12000美元。NXP USA Inc.PMV185XN，215封装/规格：MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB。您可以下载PMV185XN，215英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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带有引脚细节的PMV16XNR，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.050717盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装盒功能。技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-236AB（SOT23）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为510mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1240pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6.8A（Ta），最大Id Vgs的Rds为20 mOhm@6.8A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20.2nC@4.5V，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为36 ns，上升时间为24 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为8.6A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为400mV，Rds导通漏极-漏极电阻为20mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型导通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为13.4nC，并且前向跨导Min为12S，并且信道模式为增强。
带有VB制造的用户指南的PMV16UN。PMV16UN可在SOT23封装中获得，是FET的一部分-单个。
带有VB制造的电路图的PMV170UN。PMV170UN可用于TO-236AB封装，是FET的一部分-单个。
