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FF450R12KE4HOSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 520 A 最大功率: 2400 W 供应商设备包装: Module
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 场终止沟道
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 集电极最大截止电流 5 mA
  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 参数配置 半桥
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 28 nF @ 25 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 520 A
  • 最大功率 2400 W
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.15V @ 15V, 450A

FF450R12KE4HOSA1 产品详情

FF450R12KE4HOSA1是一个62mm C系列IGBT模块,带有沟槽/场阻IGBT4和发射极控制二极管。其特点是PrimeSTACK™ 可用于以最小的工作量快速开发,并为变频驱动提供卓越的解决方案。

特色

  • 优化的开关特性,如柔软度和降低的开关损耗
  • 具有更高电流能力的现有封装
  • 灵活性
  • 最佳电气性能
  • 高可靠性
  • 工作温度高达150°C

应用

电机驱动与控制、替代能源、商业、农业、电力管理、暖通空调
FF450R12KE4HOSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,FF450R12KE4HOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FF450R12KE4HOSA1价格参考¥1597.783740,你可以下载 FF450R12KE4HOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FF450R12KE4HOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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